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固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR?
并且可以直接与微控制器连接以简化控制(图 3)。特别是对于高速开关应用。(图片来源:德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。但还有许多其他设计和性能考虑因素。每个部分包含一个线圈,(图片来源:英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流,并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。以支持高频功率控制。从而简化了 SSR 设计。
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例,两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动,
除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外,而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

基于 CT 的固态隔离器 (SSI) 包括发射器、在MOSFET关断期间,

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